技術創新單晶矽晶片突破堆疊技術瓶頸：低溫製程良率近乎完美，半導體產業邁向3D新紀元美國伊利諾大學研究團隊成功以低於200°C的溫度堆疊高性能矽電路層，打造三層共1,875顆電晶體的單體式3D晶片，良率達98%至100%，有望突破摩爾定律瓶頸，IBM、Intel與台積電已加入合作。AI自動駕駛市場分析大約 1 個月前來源：Interesting Engineering
